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三星48层3DV-NAND快闪存储器拆解分析【彩票游戏首页】
本文摘要:备受关注的三星48层V-NAND三维快闪记忆体早就经常会出现在销售市场上,TechInsights的损毁精英团队终于直到了大好机会一睹为快。

备受关注的三星48层V-NAND三维快闪记忆体早就经常会出现在销售市场上,TechInsights的损毁精英团队终于直到了大好机会一睹为快。  三星(Samsung)早在二零一五年10月就发布其258Gb的3位元多级别模块(MLC)三维V-NAND快闪记忆体K9AFGY8S0M,并着重强调将作为各种各样固体硬碟(SSD),也预估不容易在2016今年初月发售。这种应允现如今了解搭建了,大家而求在其2TB容积的T3系列产品mSATA可携式SSD中寻找其踪迹(如图所示1)。

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  图1:三星T32TBSSD  依据TechInsights的损毁,我们在这一SSD上找到带有4个0.5TB容积K9DUB8S7MPCB的两面线路板(如图2)。每一PCB中包含的便是大家因此以要想探索的16个48LV-NAND晶粒。

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    图2:三星T3系列产品2TBSSD正脸和反面线路板  图3说明这16颗晶粒相互之间添充及其应用传统式线键通技术性相接的PCB截面。这种晶片的薄厚仅有40um,只不过让人双眼为之一暗,这或许是大家所闻过的PCB中更厚的晶片了。相形之下,我们在二零一四年损毁三星32LN-NAND中的晶粒大概为110um,PCB大概添充4个晶片的高宽比。

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  大家还看了其他较薄的记忆体晶片,还包含海力士(Hynix)作为AMD(AMD)R9FuryX绘图卡的HBM1记忆体,薄厚大概为50um,及其在三星以矽破孔(TSV)点到点4个添充晶片的DDR4,在其中一些DRAM晶粒的薄厚大概为55um。  因而,40um了解是纤薄!并且有可能迫近于300mm直徑圆晶在必须用以支撑点圆晶(carrierwafer)能够搭建的更厚无穷大。这感觉让人印像深刻的印象。    图3:16个相互之间添充的三星48LV-NAND  图4说明在其中的一个258Gb晶粒,传送了两个5.8mmx5.8mm的较小NAND快闪记忆体组(bank)。

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我们可以将全部晶片地区区别为约2,600Mb/mm2的记忆体尺寸,推算出来出有记忆体相对密度总产量。相形之下,三星16nm连接点的平面图NAND快闪记忆体精确测量大概为740MB/mm2。因此 ,虽然V-NAND应用较小的工艺连接点(~21nmvs.16nm),其记忆体相对密度彻底是16nm平面图NAND快闪记忆体的3.5倍(闻报表1)。

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